Disco Duro SSD Samsung 990 1 TB V NAND PCIe Gen 4 x 4 NVMe M.2

Sobre este producto

• ⚡ SSD NVMe PCIe Gen 4 con memoria Samsung V NAND: hasta 7,150 MB/s de lectura para cargas y transferencias ultrarrápidas.
• ⚡ Velocidades hasta Up to 7,150MBps: lectura/escritura secuencial para juegos, edición y transferencias.
• 🧬 Memoria Samsung V NAND: densidad y durabilidad para uso intensivo.
• 🔌 Interfaz PCIe Gen 4 x 4 · formato M.2 2280 M Key: instalación NVMe M.2 directa en la placa.
• 🛡️ Fiabilidad: MTBF de 1,500,000 Hours.

Característica	Detalles
Tipo de producto	Disco duro
Marca	Samsung
Modelo	990 1TB Samsung V NAND PCIe Gen 4 x4 NVMe M.2 Internal SSD
Número de parte	MZ-V9V1T0B/AM
UPC	198957280818
Color	Black
Capacidad	1TB
Interfaz	PCIe Gen 4 x 4
Factor de forma	M.2 2280 M Key
Arquitectura	Samsung V NAND
Velocidad de lectura	Up to 7,150MBps
Escritura aleatoria 4K	Up to 1,100,000 IOPS
Lectura aleatoria 4K	Up to 700,000 IOPS
Resistencia (TBW)	400 TBW
SSD Features	256-bit AES Encryption
Power Usage - Read/Write	4.0 Watts / 3.7 Watts
MTBF	1,500,000 Hours